特許

J-GLOBAL ID：200903076044986355

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

発明者： 妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031734
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229218
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板を提供する。【解決手段】 第1の基板1上に窒化物半導体3が成長された第1のウェーハと、第2の基板1′上に窒化物半導体3′が成長された第2のウェーハとを用意し、前記第1と前記第2のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着するようにして接着した後、第1の基板1と第2の基板1′とを除去する。

請求項（抜粋）：

第1の基板上に窒化物半導体が成長された第1のウェーハと、第2の基板上に窒化物半導体が成長された第2のウェーハとを用意し、前記第1と前記第2のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着するようにして接着した後、第1の基板と第2の基板とを除去することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-037307   出願人：沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213676   出願人：ローム株式会社
• 特開平1-289109