特許
J-GLOBAL ID：200903076055848450

多数個取りセラミック配線基板

発明者：
古本 雄一

古本 雄一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116368
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307200
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 メタライズ配線導体やメタライズ端子電極間に電気的短絡が発生し易い。メタライズ配線導体とメタライズ端子電極との接続信頼性が低い。【解決手段】 セラミック母基板1に各々が分割線3で区切られて配列形成された多数の配線基板領域2と、分割線3上にセラミック母基板1を貫通して形成された貫通孔5と、貫通孔5の内壁に配線基板領域2を貫通するように分割線3から離間して形成された切り欠き部7と、この切り欠き部7内に充成されたメタライズ端子電極6と、配線基板領域2の表面に分割線3から離間して形成され、メタライズ端子電極6の端面に接続されたメタライズ配線導体4とを具備する多数個取りセラミック配線基板である。分割線3に沿って切断する際にメタライズ配線導体4やメタライズ端子電極6にバリが発生しない。また、メタライズ配線導体4とメタライズ端子電極6とが広い面積で接続され接続信頼性が高い。
請求項（抜粋）：
セラミック母基板に各々が分割線で区切られて配列形成された多数の配線基板領域と、前記分割線上に前記セラミック母基板を貫通して形成され、前記分割線方向の幅が150〜350μm、直交する方向の長さが250〜400μmの貫通孔と、前記貫通孔の内壁に前記配線基板領域を貫通するように前記分割線から125〜300μm離間して形成され、幅が100〜300μmの切り欠き部と、該切り欠き部内に形成されたメタライズ端子電極と、前記配線基板領域の表面に前記分割線から125〜200μm離間して形成され、前記メタライズ端子電極の端面に接続されたメタライズ配線導体とを具備することを特徴とする多数個取りセラミック配線基板。
IPC (2件)：
H05K 1/02 ,  H05K 3/00
FI (2件)：
H05K 1/02 G ,  H05K 3/00 X
Fターム (7件)：
5E338AA16 ,  5E338BB31 ,  5E338BB46 ,  5E338CC01 ,  5E338CD32 ,  5E338EE11 ,  5E338EE32
引用特許：
審査官引用 (3件)

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