特許
J-GLOBAL ID：200903076079909680
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003192
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204063
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極とソース/ドレイン拡散領域(及びその配線を含む)との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11上に形成されたゲート電極13もしくはゲート保護絶縁膜14に被覆されたゲート電極13の側面に形成された側壁絶縁膜15として塩素を含むシリコン酸化物を用いる。ゲート電極と配線を含むソース/ドレイン領域との間の寄生容量を低減することができ素子の高速動作が可能となる。ゲート電極側壁部分に塩素を含有したシリコン窒化膜を設けてトランジスタ素子を形成し、その後このシリコン窒化膜を塩素を含有したシリコン酸化膜に変換してゲート側壁絶縁膜として用いる。素子特性のばらつきやショート不良なしに低寄生容量のトランジスタ素子を形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板主面に形成されたソース/ドレイン領域と、前記半導体基板主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ソース/ドレイン領域の一部及びその領域間の上に配置された前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成されたゲート側壁絶縁膜とを備え、前記ゲート側壁絶縁膜は、0.1atom%以上の塩素を含むシリコン酸化物からなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 S
5F140AA01
, 5F140AA11
, 5F140AA14
, 5F140AA39
, 5F140BA01
, 5F140BE07
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG09
, 5F140BG11
, 5F140BG12
, 5F140BG20
, 5F140BG22
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BG34
, 5F140BG37
, 5F140BG38
, 5F140BG39
, 5F140BG44
, 5F140BG49
, 5F140BG50
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BG56
, 5F140BH06
, 5F140BH27
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK13
, 5F140BK17
, 5F140BK18
, 5F140BK21
, 5F140BK26
, 5F140BK29
, 5F140BK34
, 5F140BK38
, 5F140CF04
