特許
J-GLOBAL ID：200903076090915179

半導体素子の感光膜パターンの形成方法

発明者：
金 起 賢

金 起 賢 について

, 
朴 相 洙

朴 相 洙 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074870
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023390
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：
【要約】【課題】 微細な感光膜パターンの崩れや大きさの変動を防止し得る半導体素子の感光膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 所定の電導層22が形成された半導体基板21上に感光膜パターン24を形成し、オゾンガスの熱分解反応により発生される酸素ラジカル成分を用いて上記感光膜パターン24の線幅を微細化させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の感光膜パターンの形成方法において、露光装置により半導体基板上に形成された感光膜パターンを酸素ラジカル成分でアッシングする工程を含むことを特徴とする半導体素子の感光膜パターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H
Fターム (14件)：
2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA05 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F004BD01 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA01 ,  5F004EA12 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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