特許

J-GLOBAL ID：200903076092400214

真空成膜装置

発明者： 木曽田 欣弥 ,  古屋 英二 ,  大東 良一
出願人/特許権者： 中外炉工業株式会社 ,  大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-269636
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ放電の連続安定維持時間を長くすること、成膜速度の向上を可能とした真空成膜装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバー12内に向けてプラズマビーム22を生成する圧力勾配型プラズマガン11と、このプラズマガン11の出口部に向けて突出させた真空チャンバー12の短管部を包囲するように設けられ、プラズマビーム22の横断面を収縮させる収束コイルとを備え、プラズマビーム22により真空チャンバー11内に配置した基板13上に薄膜を形成する真空成膜装置であって、この真空成膜装置は、前記出口部にこのプラズマビーム22の周囲を取囲み、電気的に浮遊状態として突出させた絶縁管1と、前記短管部内にて絶縁管1の外周側を取巻くとともに、前記出口部よりも高い電位状態とした電子帰還電極2とを設けて形成されている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、このプラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を包囲するように設けられ、前記プラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルとを備え、前記プラズマビームにより前記真空チャンバー内に配置した基板上に薄膜を形成する真空成膜装置において、前記短管部内に、このプラズマビームの周囲を取囲み、電気的に浮遊状態として突出させた絶縁管と、前記短管部内にて前記絶縁管を介して前記プラズマビームの外周側を取巻くとともに、前記出口部よりも高い電位状態とした電子帰還電極とを設けたことを特徴とする真空成膜装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• イオンプレーティング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-164708   出願人：日本電子株式会社
• 薄膜生成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331822   出願人：石川島播磨重工業株式会社
• 特開平4-366591
  
• 特開昭62-103362