特許
J-GLOBAL ID:200903076097208494
酸化膜形成方法及びその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-243242
公開番号(公開出願番号):特開2003-209108
出願日: 2002年08月23日
公開日(公表日): 2003年07月25日
要約:
【要約】【課題】 被酸化試料の酸化処理にあたり、高速かつ効率的な酸化膜の形成が可能で、比較的低温での均一な膜厚の酸化膜の形成及び改善、且つその電気特性を向上すること。【解決手段】 被酸化試料10にオゾンガスを暴露することにより、当該試料の表面に酸化膜を形成するにあたり、被酸化領域を局所加熱する。局所加熱は、サセプター21上の試料の被酸化領域に赤外光を照射する光源23や、サセプターを加熱する加熱手段によって行う。また、被酸化試料にオゾンガスを暴露するにあたり、一定の圧力のもとで被酸化試料を加熱しながら、該被酸化試料にオゾンガスを供給する。例えば、前記圧力を100〜44000Paに調整する。オゾンガスの流量は、炉20内におけるオゾンガスの流れが層流状態となるように調整するとよい。また、紫外光を発する光源を備えるとよい。紫外光を発する光源は、例えばサセプター20の上流側を照射するように設けられる。
請求項(抜粋):
被酸化試料にオゾンガスを暴露することにより、該試料表面に酸化膜を形成する酸化膜形成方法において、被酸化試料の被酸化領域を局所加熱しながら、当該試料にオゾンガスを供給することを特徴とする酸化膜形成方法。
IPC (9件):
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/336
, H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/78
, H01L 29/786
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (6件):
H01L 21/316 S
, H01L 21/31 E
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
Fターム (50件):
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AE21
, 5F045AF03
, 5F045BB01
, 5F045BB07
, 5F045BB17
, 5F045DP04
, 5F045EC03
, 5F045EK12
, 5F045EK19
, 5F045EK30
, 5F058BA06
, 5F058BA20
, 5F058BF54
, 5F058BF55
, 5F058BF62
, 5F058BF78
, 5F058BF80
, 5F058BJ10
, 5F083EP45
, 5F083ER22
, 5F083PR12
, 5F101BE07
, 5F101BH04
, 5F110AA04
, 5F110AA12
, 5F110AA14
, 5F110AA16
, 5F110AA17
, 5F110CC01
, 5F110CC05
, 5F110FF22
, 5F110GG02
, 5F140AA19
, 5F140AA23
, 5F140AA39
, 5F140AA40
, 5F140AC32
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BE07
, 5F140BE19
, 5F140CE18
引用特許: