特許

J-GLOBAL ID：200903076115516991

電界効果型半導体装置

発明者： 西脇 克彦 ,  櫛田 知義
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (3件)： 岡戸 昭佳 ,  富澤 孝 ,  山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-320222
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158507
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】チャネル幅を有効に利用することにより,低いオン抵抗と過大でない短絡電流とを両立するとともに,素子破壊が起こりにくい電界効果型半導体装置を提供すること。【解決手段】電解効果型半導体装置における,ゲート電極106に挟まれた半導体領域を,n+ エミッタ領域104とpエミッタ領域とによるストライプ状の構造とした。そしてpエミッタ領域を,低濃度のpチャネル領域103と高濃度のp+エミッタ領域100とで構成した。そして,n+エミッタ領域104とpチャネル領域103とp+ エミッタ領域100とのいずれもがエミッタ電極109に接するようにした。これにより,チャネル幅Xを,通常動作時のオン電流を流すのに十分な程度とした。かくして,低いオン抵抗と過大でない短絡電流とを両立した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体のチャネル領域と, 前記チャネル領域に接するとともに,前記チャネル領域より高濃度の第1導電型半導体である第1導電型エミッタ領域と, 前記チャネル領域を貫通して設けられるとともに,前記チャネル領域および前記第1導電型エミッタ領域から絶縁されたゲート電極と, 前記チャネル領域および前記第1導電型エミッタ領域に接するエミッタ電極とを有することを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (7件)：

H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-062071   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388661   出願人：株式会社デンソー