特許
J-GLOBAL ID：200903076119376256
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132734
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323679
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 導電膜と基板とのコンタクト開口を自己整合的に形成する際に用いられるシリコン窒化膜の膜厚を低減する。【解決手段】 シリコン基板1の主表面上に形成されるゲート電極(ワード線)5を覆うようにシリコン窒化膜6を形成する。このシリコン窒化膜6の屈折率を2.3以上2.6以下とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたワード線と、前記ワード線を覆い、屈折率が2.3以上2.6以下であるシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜を覆い、前記半導体基板および前記シリコン窒化膜に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールを介して前記半導体基板と電気的に接続される導電膜と、を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 681 A
5F083AD42
, 5F083GA06
, 5F083JA53
, 5F083MA02
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR06
, 5F083PR21
, 5F083PR29
