特許
J-GLOBAL ID：200903052185200340
エッチング停止層の堆積方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162728
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054502
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 エッチング停止層を堆積する方法及び装置を提供する。【解決手段】 この方法は、基板が配置された処理チャンバにプロセスガスを導入することによって開始される。次に基板上にエッチング停止層が堆積される。次に上の層がエッチング停止層の上に堆積される。エッチング停止層によって、下にある材料が、上の層のパターン化に使用されるエッチング剤から実質的に保護される。更に、エッチング停止層は有利な光学的性質も備えており、エッチング停止層の下にある層をパターン化する際に、反射防止膜として使用するのに適している。
請求項（抜粋）：
基板上に第1層を形成するステップと、処理チャンバ内にプロセスガスを導入するステップと、前記プロセスガスにエネルギを印加して、前記基板上に第2層を堆積するステップと、前記第2層を、前記第2層上に形成される感光層内における入射放射エネルギの反射及び屈折の減少を可能にし、且つ前記第2層上に堆積される第3層をエッチングするために使用されるエッチング剤に対する前記第1層の露出の実質的な防止を可能にする厚さになるまで堆積するために充分な長さの時間、前記プロセスガスに印加された前記エネルギを維持するステップと、を含む処理チャンバ内に配置した基板上に多層構造を堆積する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/316 M
, H01L 21/316 P
, H01L 21/302 J
, H01L 21/88 B
出願人引用 (23件)
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審査官引用 (26件)
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