特許
J-GLOBAL ID：200903076120239351

半導体チップ内蔵モジュールおよびその製造方法

発明者：
山下 嘉久

山下 嘉久 について

, 
中谷 誠一

中谷 誠一 について

, 
平野 浩一

平野 浩一 について

, 
祐伯 聖

祐伯 聖 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  鮫島 睦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-176549
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012089
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】機械的強度を備えながら薄型化可能で高周波特性に優れる半導体チップ内蔵モジュールとその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ内蔵モジュール100は、絶縁層104と配線パターン101と半導体チップ102を有して成り、絶縁層は、その一方の表面に配線パターンを有し、また、その内部に半導体チップを有して成り、該配線パターンと該半導体チップは電気的に接続され、絶縁層は、(A)室温で液状の熱硬化性樹脂および(B)潜在性硬化剤と(C)熱可塑性樹脂とを含む樹脂組成物と、(D)無機フィラーとを含んで成る硬化性組成物を硬化した硬化組成物により形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁層と配線パターンと半導体チップとを有して成り、該絶縁層は、その一方の表面に該配線パターンを有し、また、その内部に該半導体チップを有して成り、該配線パターンと該半導体チップは電気的に接続されている半導体チップ内蔵モジュールであって、 該絶縁層は、(A)室温で液状の熱硬化性樹脂および(B)潜在性硬化剤と(C)熱可塑性樹脂とを含む樹脂組成物と、(D)無機フィラーとを含んで成る硬化性組成物を硬化した硬化組成物により形成されていることを特徴とする半導体チップ内蔵モジュール。
IPC (3件)：
H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (2件)：
H01L23/12 501B ,  H01L23/30 R
Fターム (5件)：
4M109AA01 ,  4M109EA11 ,  4M109EA12 ,  4M109EB02 ,  4M109EB12
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM