特許
J-GLOBAL ID：200903076129951429
電気抵抗薄膜及びその製造法並びにセンサデ バイス
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-370342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195504
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】本発明は、鉄およびパラジウムと所要の副成分からなり、0〜200°Cにおける平均の抵抗温度係数が3000×10-6・°C-1以上を有することを特徴とする電気抵抗薄膜およびその製造法を提供するにある。また、該合金薄膜よりなる接触燃焼式ガスセンサあるいは抵抗変化型高性能温度センサを提供するにある。【解決手段】本発明は、原子量比にて鉄10〜70%および残部パラジウムからなる合金を、1000°C以下の基板温度で絶縁性基板上に、または導電性基板表面に絶縁体膜を形成した上に作製するか、大気中、非酸化性ガス中、還元性ガス中または真空中の200°C以上1000°C以下の温度で加熱後、冷却することにより、抵抗温度係数の高い電気抵抗薄膜を提供し、さらに該薄膜を用いた接触燃焼方式ガスセンサおよび抵抗変化型高性能温度センサを提供することができる。
請求項（抜粋）：
原子量比にて、鉄10〜70%および残部パラジウムと少量の不純物からなり、0〜200°Cにおける平均の抵抗温度係数が3000×10-6・°C-1以上を有することを特徴とする電気抵抗薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01C 7/00 D
, G01K 7/18 B
