内部電源回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-026829
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】低消費電力で低電圧レベルの内部電源電圧を発生することのできる内部電源回路を提供する。【解決手段】内部電源回路は、第1の基準電圧(Vref)をソースフォロアモードで伝達する第1の出力MOSトランジスタ(Q1)と、この第1のMOSトランジスタ(Q1)の出力電圧から第2の基準電圧を生成する内部基準電圧発生回路(10)と、電源ノード(1)と出力ノード(4)の間に結合され、この第2の内部基準電圧に従ってソースフォロアモードで動作する出力MOSトランジスタQ2を含む。内部基準電圧発生回路10は、出力MOSトランジスタ(Q2)および第1のMOSトランジスタ(Q1)が有するしきい値電圧が出力ノード4上の内部電圧VINTに及ぼす影響を相殺する機能を備える。内部電圧と基準電圧とを比較するための比較回路が用いられていないため、この比較動作に必要とされる電流消費を削減することができる。

請求項（抜粋）：

第1の基準電圧をゲートに受ける第1導電型の第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと第1の内部ノードとの間に接続される、各々がダイオード接続される少なくとも1個の第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、電源ノードと内部電圧出力ノードとの間に接続され、そのゲートに与えられる電圧に従って前記電源ノードと前記内部電圧出力ノードとの間に電流の経路を形成する出力絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、および前記第1の内部ノード上の電圧から第2の基準電圧を生成し、前記出力絶縁ゲート型電界効果トランジスタへ前記第2の基準電圧を与える内部基準電圧発生手段とを備え、前記内部基準電圧発生手段は、前記内部電圧出力ノードに出力される電圧値に対する前記第1、第2および出力絶縁ゲート型電界効果トランジスタが有するしきい値電圧の影響を相殺する手段を含む、内部電源回路。

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225338 出願人：株式会社東芝
集積回路用基準電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-034070 出願人：ラムトロンコーポレーション, 日鉄セミコンダクター株式会社
定電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-107699 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225338 出願人：株式会社東芝
集積回路用基準電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-034070 出願人：ラムトロンコーポレーション, 日鉄セミコンダクター株式会社
定電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-107699 出願人：富士通株式会社

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