特許
J-GLOBAL ID：200903076174774902

基板処理装置及びスパッタリング装置

発明者：
高橋 信行

高橋 信行 について

, 
角田 恵子

角田 恵子 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290652
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107229
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】【課題】 イオンの入射エネルギーを利用した基板処理装置において、自己バイアス電圧用の高周波電力の損失を少なくする。【解決手段】 処理チャンバー1内にガス導入系22によってガスが導入され、スパッタ電源21によってターゲットに電圧が印加されてスパッタ放電が生じ、プラズマが形成される。処理チャンバー1内で基板9を保持する基板ホルダー3はホルダー本体31と誘電体ブロック32からなり、静電吸着機構4の吸着用電源41は誘電体ブロック32内の吸着電極42に電圧を印加して基板9を誘電体ブロック32の表面に静電吸着する。高周波電源5が吸着電極42に高周波電圧を印加し、プラズマと高周波との相互作用により基板9に自己バイアス電圧が与えられ、プラズマ中のイオンが基板9に入射する。高周波電源5が吸着電極42のみに高周波電圧を直接印加するので、電力の損失が少ない。
請求項（抜粋）：
内部で基板に対して所定の処理が行われる処理チャンバーと、処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマ形成手段によって形成されたプラズマの付近の所定の位置に基板を保持する基板ホルダーと、プラズマと基板との間に高周波電界を設定してプラズマと高周波電界との相互作用により基板の表面に自己バイアス電圧を生じさせる高周波電源とを備えており、前記基板ホルダーは、ホルダー本体とホルダー本体に接して設けられた誘電体ブロックとから構成され、この誘電体ブロックの表面が基板保持面になっているとともに、基板保持面に静電気を誘起させて基板を静電吸着させる静電吸着機構の吸着電極が誘電体ブロックの内部に設けられており、前記高周波電源は、前記吸着電極のみに高周波電圧を直接印加するようになっていることを特徴とする基板処理装置。
Fターム (5件)：
4K029CA13 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029JA01 ,  4K029JA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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