特許
J-GLOBAL ID:200903050492797939
スパッタリング装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
保立 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-016347
公開番号(公開出願番号):特開平11-087245
出願日: 1998年01月12日
公開日(公表日): 1999年03月30日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 品質の良いスパッタリング成膜が行える実用的なスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 排気系21を備えた処理チャンバー2内に配置されたターゲット21と基板ホルダー24との間のスパッタリング粒子飛行空間を取り囲むようにして筒状の防着シールドが備えられる。基板ホルダー24は移動機構28によって成膜処理の合間に移動されて防着シールド27から遠ざけられ、スパッタリング粒子飛行空間の排気の際のコンダクタンスが向上する。移動機構28は成膜処理中にも駆動され、ターゲット221と基板Sとの距離が変化して基板Sに堆積する薄膜の膜厚分布が均一になる。基板ホルダー24は基板Sを加熱するヒータを内蔵し、金属からなる複数のブロックが拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されている。
請求項(抜粋):
排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲットを有するカソードと、カソードに電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源と、スパッタリングされたターゲットの材料が到達する処理チャンバー内の所定位置に基板を配置するための基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、前記基板ホルダーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックを含む同種又は異種の金属からなる複数のブロックを有し、当該複数のブロックは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されていることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件):
H01L 21/203
, C23C 14/34
, H01L 21/285
FI (3件):
H01L 21/203 S
, C23C 14/34 K
, H01L 21/285 S
引用特許:
審査官引用 (7件)
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静電チャック
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-354545
出願人:株式会社創造科学, 有限会社ミヤタアールアンディ
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特開平4-105316
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真空処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-108484
出願人:東京エレクトロン株式会社
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半導体ウエハー保持装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-017651
出願人:日本碍子株式会社
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半導体基板のプラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-354544
出願人:株式会社創造科学, 有限会社ミヤタアールアンディ
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静電チャック
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-100701
出願人:株式会社創造科学, 有限会社宮田技研
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熱処理装置及び熱処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-352985
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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