特許
J-GLOBAL ID:200903076186693320

多層体の製造プロセス及び多層体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西脇 民雄
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-554497
公開番号(公開出願番号):特表2008-530600
出願日: 2006年02月09日
公開日(公表日): 2008年08月07日
要約:
【課題】層が存在しない領域を有する層が、高いレベルの精度と安い費用で正確な重なり関係で適用される、多層体及び多層体の製造プロセスを提供する。【解決手段】部分的に形成された第一の層(3m)を有する多層体(100、100 ́)の製造プロセスであって、特定の構造エレメントの高い深さ幅比、特に0.3を超える高い深さ幅比を有する回折性の第一の凹凸構造(4)が前記多層体(100、100 ́)の複製層(3)の第一の領域(5)に形成され、第一の層(3m)が、前記第一の領域(5)と、前記複製層(3)に凹凸構造が形成されていない第二の領域(4、6)の前記複製層(3)に、前記複製層(3)により規定される平面に対して均一な表面密度で適用され、前記第一の凹凸構造により確定する方法で、前記第一の層(3m)が前記第一の領域(5)または前記第二の領域(4、6)で除去されるとともにそれぞれに対して前記第二の領域(4、6)または前記第一の領域が除去されないように、前記第一の層(3m)が部分的に除去される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
部分的に形成された第一の層(3m)を有する多層体(100、100 ́)の製造プロセスであって、 特定の構造エレメントの高い深さ幅比、特に0.3を超える深さ幅比を有する回折性の第一の凹凸構造(4)が前記多層体(100、100 ́)の複製層(3)の第一の領域(5)に形成され、 第一の層(3m)が、前記第一の領域(5)および前記複製層(3)に前記凹凸構造が形成されていない第二の領域(4、6)の前記複製層(3)に、前記複製層(3)により規定される平面に対して均一な表面密度で適用され、 前記第一の層(3m)が、前記第一の領域(5)において除去されかつ前記第二の領域(4、6)において除去されず、または前記第二の領域(4、6)において除去されかつ前記第一の領域(5)では除去されないように、前記第一の層(3m)が、前記第一の凹凸構造により定まる方法で部分的に除去されるプロセスを備えることを特徴とする、多層体の製造プロセス。
IPC (6件):
G03F 7/20 ,  B32B 37/00 ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/40 ,  B32B 9/00
FI (6件):
G03F7/20 501 ,  B32B31/18 ,  G02B5/18 ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521 ,  B32B9/00 A
Fターム (86件):
2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA30 ,  2H025FA39 ,  2H025FA47 ,  2H049AA03 ,  2H049AA13 ,  2H049AA37 ,  2H049AA43 ,  2H049AA46 ,  2H049AA55 ,  2H049AA60 ,  2H049AA65 ,  2H096AA28 ,  2H096AA30 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096HA13 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  2H097AA03 ,  2H097FA02 ,  2H097FA03 ,  2H097JA03 ,  2H097JA04 ,  2H097LA16 ,  2H097LA17 ,  4F100AA11B ,  4F100AA11D ,  4F100AA21B ,  4F100AA21D ,  4F100AB18A ,  4F100AB18B ,  4F100AB18D ,  4F100AB31B ,  4F100AB31D ,  4F100AK01B ,  4F100AK01D ,  4F100AK42 ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100DC21B ,  4F100DD04A ,  4F100EH66 ,  4F100EH71A ,  4F100EH71B ,  4F100EH71D ,  4F100EJ15B ,  4F100EJ48C ,  4F100EJ52B ,  4F100EJ52C ,  4F100EJ54 ,  4F100GB41 ,  4F100GB71 ,  4F100HB00B ,  4F100HB00D ,  4F100HB08A ,  4F100JA11B ,  4F100JA11D ,  4F100JB14 ,  4F100JD08B ,  4F100JD08D ,  4F100JD14C ,  4F100JG01B ,  4F100JG01D ,  4F100JL10B ,  4F100JL10D ,  4F100JM02B ,  4F100JM02D ,  4F100JN01B ,  4F100JN08B ,  4F100JN10B ,  4F100JN10D ,  4F100JN17A ,  4F100JN17B ,  4F100JN18B ,  4F100JN18D ,  4F100YY00A
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る