特許

J-GLOBAL ID：200903076230626920

半導体装置及びその製造方法

発明者： 獅子口 清一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091566
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 拡散層抵抗を低減し、NMOSFETの特性を向上させる。【解決手段】 Si基板101に設けられたN型拡散層の少なくとも表面側にGeを含有している。Si基板101表面にGe含有層102を形成した後、N型不純物を導入してN型拡散層を形成する。

請求項（抜粋）：

Si半導体基板に設けられたN型拡散層の少なくとも表面側にGeを含有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 F

Fターム (5件)：

5F040DC01 ,  5F040EF02 ,  5F040EF09 ,  5F040EH02 ,  5F040FC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-112772
  
• 特開昭63-013379
  
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-000062   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-062573   出願人：株式会社日立製作所