特許
J-GLOBAL ID：200903076233584527
記憶素子及びメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-005513
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196612
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17に対して中間層16を介して磁化固定層19が設けられ、中間層16が酸化マグネシウムから成り、中間層16の下側に接する強磁性層15がCoFeBを主成分とする磁性材料から成り、積層方向に電流を流すことにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われる記憶素子3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、
前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、
前記中間層が酸化マグネシウムから成り、
前記中間層の下側に接する強磁性層が、CoFeBを主成分とする磁性材料から成り、
積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 112
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR33
