特許
J-GLOBAL ID:200903076234477333

合金形態の半導体ナノ結晶、その製造方法及び有機電界発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 磯野 道造
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-206818
公開番号(公開出願番号):特開2005-048171
出願日: 2004年07月14日
公開日(公表日): 2005年02月24日
要約:
【課題】合金形態の半導体ナノ結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。【解決手段】1種以上の12族金属または12族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して12族金属前駆体溶液を得る段階と、1種以上の16族元素または16族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して16族元素前駆体溶液を得る段階と、前記12族金属前駆体溶液と16族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含むことを特徴とする半導体ナノ結晶の製造方法である。本発明によれば、化学的湿式合成法でサイズ及び形態が均一であり、量子効率が高く、安定的な合金形態の12、16族化合物半導体ナノ結晶を製造できる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(a)1種以上の12族金属または12族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して12族金属前駆体溶液を得る段階と、 (b)1種以上の16族元素または16族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して16族元素前駆体溶液を得る段階と、 (c)前記1種以上の12族金属前駆体溶液と1種以上の16族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含むことを特徴とする半導体ナノ結晶の製造方法。
IPC (6件):
C09K11/08 ,  C09K11/00 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H05B33/14
FI (6件):
C09K11/08 A ,  C09K11/00 F ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H05B33/14 Z
Fターム (12件):
3K007AB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA52 ,  4H001XA80
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6,225,198号明細書
  • 米国特許第6,306,736号明細書
  • 米国特許第6,322,901号明細書
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審査官引用 (4件)
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引用文献:
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