半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353810
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 TFTを用いた半導体装置において、TFT中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるTFTを得ることを課題とする。【解決手段】 TFTの被膜界面に存在する汚染不純物155をフッ素を含有する溶液を用いて除去することにより、信頼性のあるTFTを得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1の被膜と、前記第1の被膜に接して設けられた第2の被膜と、を有する半導体装置であって、前記第1の被膜と前記第2の被膜の界面における汚染不純物濃度は、2×1016atoms/cm3 以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 29/78 627 Z , G02F 1/136 500 , H01L 21/306 R

引用特許：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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