ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251739
公開番号（公開出願番号）：特開2009-087973
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】周辺耐圧領域が形成されているとともに、ターンオフ時に電流集中がより起こり難いダイオードを提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の第1表面に形成されているアノード電極と、半導体基板の第2表面に形成されているカソード電極を有するダイオードであって、半導体基板を平面視したときに半導体基板の縁部から離れている範囲に形成されているとともにアノード電極と接しているアノード領域と、そのアノード領域と半導体基板の縁部の間に形成されている周辺耐圧領域を有している。アノード領域は、アノード領域の外周縁から離れている内側範囲と、その内側範囲を囲んでいる外側範囲に区画されている。内側範囲と外側範囲の各々には、不純物濃度が高く、アノード電極とオーミック接触している高濃度領域が形成されている。外側範囲の平均不純物濃度は、内側範囲の平均不純物濃度よりも低い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の第1表面に形成されているアノード電極と、前記半導体基板の第2表面に形成されているカソード電極を有するダイオードであって、前記半導体基板の前記第1表面側であって前記半導体基板を平面視したときに前記半導体基板の縁部から離れている範囲に形成されているとともに、前記アノード電極と接しているアノード領域と、そのアノード領域と前記半導体基板の縁部の間に形成されている周辺耐圧領域、を有しており、前記アノード領域は、前記半導体基板を平面視したときに前記アノード領域の外周縁から離れている内側範囲と、その内側範囲を囲んでいる外側範囲に区画されており、前記内側範囲と前記外側範囲の各々には、局所的に不純物濃度が高く、前記アノード電極とオーミック接触している高濃度領域が形成されており、前記外側範囲の平均不純物濃度が、前記内側範囲の平均不純物濃度よりも低いことを特徴とするダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 29/06

FI (4件)：

H01L29/91 D , H01L29/06 301G , H01L29/06 301D , H01L29/06 301V

引用特許：

出願人引用 (5件)

高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-224964 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
プレーナ型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-013054 出願人：富士電機株式会社

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