半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224964
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042836
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 PIN構造が形成されている中心領域82とリサーフ領域34が形成されている周辺領域84を備えている半導体装置において、ターンオフ直後の正孔の局所的な集中を緩和すること。【解決手段】半導体装置は、PIN構造が作り込まれている中心領域82と、その中心領域82の周辺に位置しており、リサーフ領域34を有する周辺領域84に区画されている。中心領域82の半導体層30の表面側の少なくとも一部には、アノード領域38が形成されている。周辺領域84の半導体層30の表面側の少なくとも一部には、周辺コンタクト領域35が形成されている。アノード領域38と周辺コンタクト領域35の間には、正孔に対してアノード領域38よりも高抵抗な領域が介在している。アノード領域38及び周辺コンタクト領域35は、アノード電極52に電気的に接続している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の不純物を低濃度に含む半導体層を備えている半導体装置であって、その半導体層は、半導体素子構造が作り込まれている中心領域と、その中心領域の横方向に位置しているとともに半導体素子構造がオフしているときに空乏層を中心領域から横方向に広げる空乏層形成構造が作り込まれている周辺領域に区画されており、中心領域の半導体層の表面側の少なくとも一部には、第2導電型の不純物を高濃度に含む中心コンタクト領域が形成されており、周辺領域の半導体層の表面側の少なくとも一部には、第2導電型の不純物を高濃度に含む周辺コンタクト領域が形成されており、中心コンタクト領域と周辺コンタクト領域の間には、第2導電型キャリアに対して中心コンタクト領域よりも高抵抗な領域が介在しており、中心コンタクト領域及び周辺コンタクト領域は、表面電極に電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 29/06

FI (2件)：

H01L29/91 D , H01L29/06 301D

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-223230 出願人：株式会社東芝
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝
ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-327590 出願人：株式会社明電舎

審査官引用 (6件)

高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-085569 出願人：株式会社東芝
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-100159 出願人：日本インター株式会社

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