特許
J-GLOBAL ID：200903076266301423

ダイレクトプレーティング方法及びパラジウム導電体層形成溶液

発明者：
山本 久光

山本 久光 について


出願人/特許権者：
上村工業株式会社

上村工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-199589
公開番号（公開出願番号）：特開2007-016283
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【解決手段】 被めっき物の表面にパラジウム触媒付与処理を施すことにより絶縁性部分の表面にパラジウム触媒を付与し、パラジウム化合物、アミン化合物及び還元剤を含有するパラジウム導電体層形成溶液により絶縁性部分にパラジウム導電体層を形成し、パラジウム導電体層上に直接電気銅めっき皮膜を形成する。【効果】 高アルカリ性である無電解銅めっき液を使用せず、中性である上記パラジウム導電体層形成溶液で導体化を行うことから、ポリイミドを侵すことなく、密着性への悪影響が発生しない。また、当該パラジウム導電体層形成溶液にアゾール化合物を添加することで銅上へのパラジウム導電体層の形成は起こらないことから、基板に存在する銅部分と電気銅めっき皮膜との間の接続信頼性が非常に高いものである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
絶縁性部分を含む被めっき物の該絶縁性部分に電気銅めっきを施す方法であって、この被めっき物の表面にパラジウム触媒付与処理を施すことにより前記絶縁性部分の表面にパラジウム触媒を付与し、その後、この付与されたパラジウムを触媒として、パラジウム化合物、アミン化合物及び還元剤を含有するパラジウム導電体層形成溶液により前記絶縁性部分にパラジウム導電体層を形成し、その後、このパラジウム導電体層上に直接電気銅めっき皮膜を形成することを特徴とするダイレクトプレーティング方法。
IPC (2件)：
C25D 5/34 ,  C25D 5/56
FI (2件)：
C25D5/34 ,  C25D5/56
Fターム (6件)：
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA14 ,  4K024BB11 ,  4K024DA10 ,  4K024GA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特許第2660002号公報
  • 特許第2799076号公報
  • 特許第3117216号公報
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審査官引用 (6件)
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