特許
J-GLOBAL ID：200903076304889375
結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-094855
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260620
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 PACE法で入った残留ダメージや結晶欠陥を確実に除去し、良好な膜厚均一性を有するとともに、結晶性の優れた超薄膜SOI層を有する結合ウエーハを、比較的簡単にかつ比較的低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 2枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法において、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸化膜を除去する、または、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した面を湿式エッチングする。
請求項（抜粋）：
2枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法において、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸化膜を除去する、ことを特徴とする結合ウエーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/306
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 27/12 B
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 S
, H01L 21/302 P
, H01L 21/306 A
