特許
J-GLOBAL ID：200903076311999461

Cu-Ni-Si合金およびその製造方法

発明者：
石川 泰靖

石川 泰靖 について

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新見 壽宏

新見 壽宏 について

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波多野 隆紹

波多野 隆紹 について


出願人/特許権者：
日鉱金属加工株式会社

日鉱金属加工株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114689
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315940
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】高強度及び高導電性を両立させた電子材料用Cu-Ni-Si合金を提供する。【解決手段】Niを1.0〜4.5質量%(以下%とする)、Siを0.25〜1.5%含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなる銅基合金において、NiとSiの質量濃度を[Ni]、[Si]とした場合のNiとSiの質量濃度比(以下[Ni]/[Si]とする)が4〜6で、且つ、(式1)で定義するχが0.1〜0.45となるような[Ni]、[Si]であることを特徴とする高強度および高導電性を両立させたCu-Ni-Si合金、([Ni]-4χ)2([Si]-χ)=1/8......(式1)。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
Niを1.0〜4.5質量%(以下%とする)、Siを0.25〜1.5%含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなる銅基合金において、NiとSiの質量濃度を[Ni]、[Si]とした場合のNiとSiの質量濃度比(以下[Ni]/[Si]とする)が4〜6で、且つ、(式1)で定義するχが0.1〜0.45となるような[Ni]、[Si]であることを特徴とする高強度および高導電性を両立させたCu-Ni-Si合金、 ([Ni]-4χ)2([Si]-χ)=1/8......(式1)。
IPC (1件)：
C22C9/06
FI (1件)：
C22C9/06
引用特許：
審査官引用 (13件)
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