特許
J-GLOBAL ID：200903076326593380
配線形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017829
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 配線形成法において、微細な接続孔に配線材を埋め込む際にカバレッジ性を改善し且つリフロー温度を下げる。【構成】 基板10の表面を覆う絶縁膜12に被接続部に対応する接続孔12aを形成する。孔12aは、開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形成する。基板上面には、孔12aを覆ってTiN等のバリア層16を形成した後、スパッタ法によりAl合金等の配線材層18を形成する。層18の形成中又は形成後に基板10を400°C程度に加熱して層18を流動化させることにより孔12aをカバレッジ性よく層18で埋める。この後、層16,18をパターニングして被接続部につながる配線層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板の表面を覆う絶縁膜に被接続部に対応する接続孔を形成する工程であって、該接続孔を開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形成するものと、前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆って配線材層を形成する工程であって、該配線材層を流動化させて前記接続孔に埋め込むものと、前記配線材層をパターニングして前記被接続部につながる配線層を形成する工程とを含む配線形成法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
