特許

J-GLOBAL ID：200903076331025730

回路装置、回路装置の製造方法および半導体モジュール

発明者： 中里 真弓 ,  水原 秀樹 ,  臼井 良輔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-050757
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218529
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】回路装置における配線の接続信頼性を向上する技術を提供する。【解決手段】回路装置10は、回路素子が形成された半導体基板12と、半導体基板12の表面Sに形成された電極14と、電極14の上に設けられた絶縁層16と、絶縁層16の上に設けられた第2の配線層18と、絶縁層16を貫通して電極14および第2の配線層18を電気的に接続する導電性バンプ20と、を備える。導電性バンプ20は、電極14と第2の配線層18との導通方向の結晶粒のサイズより、半導体基板12の表面Sと平行な方向の結晶粒のサイズが大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路素子が形成された基板と、 前記基板の表面に形成された第1の配線層と、 前記第1の配線層の上に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の上に設けられた第2の配線層と、 前記絶縁層を貫通して前記第1の配線層および前記第2の配線層を電気的に接続する導体部と、を備え、 前記導体部は、前記第1の配線層と前記第2の配線層との導通方向の結晶粒のサイズより、前記基板の表面と平行な方向の結晶粒のサイズが大きいことを特徴とする回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (2件)：

H01L21/88 T ,  H01L23/52 C

Fターム (21件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033LL08 ,  5F033MM19 ,  5F033NN20 ,  5F033NN30 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ99 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033UU07 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ウェハレベルパッケージおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-358887   出願人：大日本印刷株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-142830   出願人：カシオ計算機株式会社