特許
J-GLOBAL ID：200903076354607842

シリコンウェーハのライフタイム測定方法

発明者：
荒木 延恵

荒木 延恵 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231973
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048959
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハのライフタイムをマイクロ波光導電減衰法により測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理をし、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持することを特徴とするシリコンウェーハのライフタイム測定方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 N
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA09 ,  4M106BA12 ,  4M106CB11 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DH35
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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