特許

J-GLOBAL ID：200903076358233017

カーボンナノチューブ含有炭素材料及びその製造方法

発明者： 西野 仁 ,  中岡 春雪 ,  沖見 克英 ,  西田 亮一 ,  宮保 淳
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089734
公開番号（公開出願番号）：特開2003-286014
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：

【要約】【課題】 電子放出材料として好適に使用できるカーボンナノチューブ含有炭素材料、及び、かかるカーボンナノチューブ含有炭素材料を、超音波照射装置などの専用の装置を必要とせず、簡単な工程で、製造する方法を提供する。【解決手段】 粗大不純物を含有するカーボンナノチューブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合してなるペースト状混合物を、外力を加えながら、ふるいを通過せしめることにより、カーボンナノチューブを含有すると共に不純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であって、該炭素材料を構成する成分の最大サイズが20μm以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ含有炭素材料及び該炭素材料からなる電子放出材料を製造する。

請求項（抜粋）：

カーボンナノチューブを含有すると共に、カーボンナノチューブ製造時に副生する不純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であって、該炭素材料を構成する成分の最大サイズが20μm以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ含有炭素材料。

Fターム (10件)：

4G146AA19 ,  4G146AB03 ,  4G146BA04 ,  4G146BA12 ,  4G146BC03 ,  4G146CB04 ,  4G146CB05 ,  4G146CB09 ,  4G146CB10 ,  4G146CB40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• カーボン・ナノチューブの精製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014387   出願人：日本電気株式会社
• 単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276501   出願人：双葉電子工業株式会社