特許
J-GLOBAL ID：200903076362953989

半導体装置およびその製造方法

発明者：
堀部 雅弘

堀部 雅弘 について

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川端 章夫

川端 章夫 について

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二瓶 瑞久

二瓶 瑞久 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093075
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285821
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 カーボンナノチューブの成長モードを制御してカーボンナノチューブからなる配線部を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 基板11上にMo、V、NbおよびWの高融点金属およびTiのうちいずれかの金属またはその金属酸化物からなる成長モード制御層12、15と、触媒層13を順次形成し、熱CVD法により加熱してアセチレンガス等の炭素を含有するプロセスガスを供給する。成長モード制御層12をスパッタ法により形成する際の酸素雰囲気中の酸素濃度を0.1vol%未満とすることにより根元成長モード、0.1vol%以上とすることで先端成長モードでカーボンナノチューブ14を形成する。また、成長モードを制御すると共に新規な選択的形成方法によるビアやコンタクト等の配線や貫通電極を備えた半導体装置の製造方法および半導体装置を開示する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブからなる配線部あるいは垂直配線部を有する半導体装置の製造方法であって、 カーボンナノチューブの成長モードを制御する成長モード制御層を形成する工程と、 前記成長モード制御層上に触媒層を形成する工程と、 熱CVD法により前記触媒層を加熱してカーボンナノチューブを成長させ配線部あるいは垂直配線部とするカーボンナノチューブ形成工程とを含み、 前記成長モード制御層は、 Ti、Mo、V、Nb、およびWからなる群のうちいずれか1種の金属を用いて雰囲気ガス中でスパッタ法あるいは真空蒸着法により形成し、 前記雰囲気ガスの酸素ガスの所定の濃度に応じて前記成長モードを制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285
FI (3件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C
Fターム (64件)：
4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD45 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104HH15 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN01 ,  5F033NN03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033WW02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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