特許
J-GLOBAL ID：200903076390947447
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141467
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333853
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 パーティクル発生を抑制することができると共に、化合物薄膜の組成ずれに伴う膜質低下を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 プラズマCVD装置のホルダ兼電極6と放電電極8との間に、高周波電源14から、元となる高周波信号に対してそれを断続させる変調をかけた高周波電力を供給する。かつ、成膜用の原料ガス16として、原子間の結合エネルギーが互いに同じかほぼ等しい2種以上のガスを用いる。
請求項（抜粋）：
基板を保持するホルダ兼電極とこれに対向する放電電極との間の高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマCVD法によって基板の表面に化合物薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記放電電極とホルダ兼電極との間に、元となる高周波信号に対してそれを断続させる変調をかけた高周波電力を供給すると共に、成膜用の原料ガスとして、原子間の結合エネルギーが互いに同じかほぼ等しい2種以上のガスを用いることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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