特許

J-GLOBAL ID：200903076416443108

電界効果トランジスタ

発明者： 野崎 義明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-032213
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198783
出願日： 2007年02月13日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】ノーマリーオフ動作をする半導体装置であって、ゲート電極直下の電子供給層の厚さばらつきが少なく、ゲートの閾値ON電圧のばらつきが少ない電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】GaNからなる電子走行層(13)と該電子走行層(13)よりバンドギャップが実質的に大きい電子供給層(15)とを有する電界効果トランジスタであって、ゲート電極(18)直下部分の電子供給層の厚さは、それ以外の部分の電子供給層の厚さより薄く、かつ、該電子供給層(15)の少なくとも一部は、BN層、InN層、GaN層およびAlN層からなる群から選択された少なくとも2種の層を交互に積層した多層構造を有する電界効果トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaNからなる電子走行層と該電子走行層よりバンドギャップが実質的に大きい電子供給層とを有する電界効果トランジスタであって、 ゲート電極直下部分の前記電子供給層の厚さは、それ以外の部分の前記電子供給層の厚さより薄く、かつ、 前記電子供給層の少なくとも一部は、BN層、InN層、GaN層およびAlN層からなる群から選択された少なくとも2種の層を交互に積層した多層構造を有する、電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L21/302 105A

Fターム (38件)：

4M104AA04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DB19 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084933   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-423639   出願人：古河電気工業株式会社