特許

J-GLOBAL ID：200903076419170064

半導体レーザ素子

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091435
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284720
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 端面窓構造を備えた半導体レーザ素子において、信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板11上にn-GaAsバッファ層12、n-AlxGa1-xAsグレーデッドバッファ層13、n-Al0.63Ga0.37Asクラッド層14、n-In0.48Ga0.52P光ガイド層15、AlGaAsエッチンク ゙停止層16、In0.48Ga0.52P光ガイド層17、In0.13Ga0.87As0.75P0.25量子井戸層18、In0.48Ga0.52P光ガイド層19、AlGaAs電子障壁層20、p-In0.48Ga0.52P光ガイド層21を順次成長させる。次に端面近傍(a)を除去し、p-In0.48Ga0.52P光ガイド層22、p-Al0.63Ga0.37Asクラッド層23、p-GaAsキャップ層24を順次積層する。端面近傍のp-GaAsキャップ層24を選択的に除去する。50μm幅のリッシ ゙構造を形成するため、p-GaAsキャップ層37およびp-Al0.63Ga0.37Asクラッド層33をエッチングして、2本の溝の間にリッジストライプを形成する。リッジストライプ上に窓あけを行い、p側電極26(Ti/Pt/Ti/Pt/Au)、n側電極27(AuGe/Ni/Au)を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、量子井戸活性層の上部および下部に光ガイド層を備えた活性領域が形成されており、光軸方向に垂直な端面近傍が前記下部光ガイド層の深さ方向の途中までエッチングにより除去されており、前記活性領域の上全体に、発振光のエネルギーより禁制帯幅が大きい半導体が再成長されている半導体レーザ素子において、前記下部光ガイド層内に、前記エッチングを前記下部光ガイド層の深さ方向の途中で選択的に停止させるエッチング停止層が形成されており、かつ、前記上部光ガイド層内に、該上部光ガイド層の禁制帯幅より大きい半導体からなる電子障壁層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343

Fターム (14件)：

5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA88 ,  5F073CA13 ,  5F073CB07 ,  5F073CB08 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-269241   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-115182   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-288402   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭62-076693
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067114   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭64-061086