半導体レーザ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-067114
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099366
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】量子効果を高め、低しきい値電流の半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pクラッド層2、(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P光ガイド層3、多重量子井戸4、(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P光ガイド層3、さらにその上にはストライプ状のP-(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pクラッド層5が形成されている。またストライプ状のクラッド層5の両側は電流ブロック層7で埋め込まれている。ここで用いた多重量子井戸4では、井戸層11は厚さ3nmのGa0.44In0.56P、バリア層212は5nmの(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pから構成されている。特徴的なのは、光ガイド層3に接する最も外側のアウトバリア層12aは膜厚が20nmと厚くなっているところである。

請求項（抜粋）：

発光のための、ウェル層及びバリア層を含む量子井戸層と、該量子井戸層から生じた光を該量子井戸層に閉じこめるための光ガイド層と、該光ガイド層と該量子井戸層との間に設けられた電子分布制御層と、を備えた半導体レーザであって、該光ガイド層は、該量子井戸層よりも厚く、該電子分布制御層および該バリア層のバンドギャップは、該光ガイド層のバンドギャップよりも大きく、それによって、該光ガイド層および該量子井戸層の電子の分布を制御する、半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-277292 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331498 出願人：松下電子工業株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221089 出願人：富士ゼロックス株式会社, 白木靖寛

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