超微結晶磁性膜からなる電波吸収体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338404
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181476
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】高周波領域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を提供する。【解決手段】セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であって、セラミックス相がO,N,Cのうちの少なくとも1つとこれらに対する親和性が強磁性超微結晶相を構成する元素Fe,Coよりも高い少なくとも2つのセラミックス相構成元素B,Al,Si,Zr,Hf,Gd,Smとを含んで構成されており、10MHz〜10GHzの領域内の周波数において透磁率実数成分の値0.1以下且つ透磁率虚数成分/透磁率実数成分の値5以上且つ電気抵抗率500[μΩcm]以上を実現できる様にした。セラミックス相構成元素を複数用いることで、高周波領域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を比較的低い温度下で製造できる。

請求項（抜粋）：

セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であって、前記セラミックス相が酸素、窒素及び炭素のうちの少なくとも1つとこれらに対する親和性が前記強磁性超微結晶相を構成する元素よりも高いセラミックス相構成元素とを含んで構成されていることを特徴とする、電波吸収体。

IPC (5件)：

H05K 9/00 , C23C 14/06 , H01F 10/16 , C23C 14/35 , C23C 14/58

FI (5件)：

H05K 9/00 M , C23C 14/06 T , H01F 10/16 , C23C 14/35 Z , C23C 14/58 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

一軸磁気異方性薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224439 出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
磁性薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224438 出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
磁性薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-143299 出願人：新技術事業団, 坂田勘治, 輪島尚人

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