特許
J-GLOBAL ID：200903076496672021

エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法

発明者：
チャ ハン ソブ

チャ ハン ソブ について


出願人/特許権者：
マグナチップセミコンダクター有限会社

マグナチップセミコンダクター有限会社 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-103020
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010827
出願日： 2007年04月10日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】ウェーハの製造単価を低減することのできるエピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法を提供すること。【解決方法】本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第1ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第1ドーピング濃度より高い第2ドーピング濃度を有する第1エピタキシャル層と、該第1エピタキシャル層上に前記第2ドーピング濃度より低い第3ドーピング濃度を有する第2エピタキシャル層とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、 該バルクウェーハ上に前記第1ドーピング濃度より高い第2ドーピング濃度を有する第1エピタキシャル層と、 該第1エピタキシャル層上に前記第2ドーピング濃度より低い第3ドーピング濃度を有する第2エピタキシャル層と を備えることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24
Fターム (33件)：
4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA08 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA07 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB06 ,  5F045CA05 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体基板及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314060   出願人：信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社
  • エピタキシャル層の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-119797   出願人：ソニー株式会社
  • 気相成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-126653   出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社

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