特許
J-GLOBAL ID：200903076526394200
磁気記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
内野 美洋
, 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-062962
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】不揮発性の磁気記憶装置に記憶されている記憶データが不正に外部に漏洩するのを防止すること。【解決手段】本発明では、2枚の強磁性体を絶縁体を介して積層してなる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置において、強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を具備することにした。加熱抹消手段は、強磁性トンネル接合素子を構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱すること、或いは、強磁性トンネル接合素子のトンネル障壁層を耐熱限界温度以上に加熱することにした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
記憶セルを所定の方向に磁化することによって記憶データを記憶する磁気記憶装置において、
記憶セルを加熱することによって同記憶セルでの記憶データを抹消する加熱抹消手段を前記記憶セルごとに個別に設けたことを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 160
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
審査官引用 (5件)
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磁気抵抗素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-075344
出願人：株式会社東芝
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特開昭63-100695
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特開昭61-114598
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