特許
J-GLOBAL ID:200903076544658141

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-070715
公開番号(公開出願番号):特開平7-283248
出願日: 1994年04月08日
公開日(公表日): 1995年10月27日
要約:
【要約】【目的】 封止部材のクラックの発生を防止して信頼性を向上させる半導体装置を得る。【構成】 半導体素子1と、ダイパット2と、半導体素子1とダイパット2とを固定し線膨張係数が10.5〜30×10-61/°Cのダイボンド材14と、半導体素子1とダイパット2とを封止し線膨張係数が15〜20×10-61/°Cのモールド樹脂6とを備える。
請求項(抜粋):
半導体素子と、ダイパットと、上記半導体素子と上記ダイパットとを固定する固定部材と、上記半導体素子と上記ダイパットとを封止する封止部材とを備えた半導体装置において、上記固定部材の線膨張係数が上記封止部材の線膨張係数の0.7〜1.5倍にて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/52 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-072285   出願人:新日本製鐵株式会社
  • 特開平1-293640
  • 特開平1-166530
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