半導体素子の製造プロセスのモニタ方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287320
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205076
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の形成に際し、半導体ウェハの表面から二酸化シリコンを除去するためのプラズマエッチングプロセスを制御する方法を提供する。【解決手段】本発明のプロセスにおいては、パターン化フォトレジスト層でカバーされている半導体ウェハを反応チェンバ内に配置する。フルオロカーボン(過フッ化炭化水素)をこのチェンバ内に導入する。充分な量のエネルギをガスに加えてプラズマを発生させる。ウェハ表面の二酸化シリコンがこのプラズマによりエッチングされる。このプラズマの光学発光スペクトラム(OES)は、エッチングの進行に際しモニタされ、プラズマ中のある種の放射強度を所定の波長で個別に観測して、放射強度を所定の校正カーブと比較して、フォトレジストのエッチレートを決定する。

請求項（抜粋）：

(A)基板をプラズマ生成用の反応チェンバ内に配置するステップと、前記基板は、その表面の少なくとも一部上に二酸化シリコン層が形成され、この二酸化シリコン層の上にフォトレジストマスクを有し、前記二酸化シリコン層の少なくとも1部が露出しており、(B)フルオロカーボン含有ガスを前記反応チェンバ内に導入するステップと、(C)前記の露出した二酸化シリコン層を前記基板表面から除去するために、プラズマを前記反応チェンバ内で生成するステップと、(D)プラズマの光学放射をモニタし、前記プラズマ内の種に関連する波長でもって輝度強度を測定するステップと、(E)前記測定された輝度強度からある値を計算するステップと、(F)前記計算された値と、所定範囲の値とを比較するステップと、前記所定の値は、フォトレジストマスクと二酸化シリコン層からなるグループの1つのエッチレートに関連して予め決定されたものであり、(G)前記比較に基づいてプロセスを制御するステップとからなることを特徴とする半導体素子の製造プロセスのモニタ方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

エッチング終点検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-052991 出願人：東京エレクトロン株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-062516 出願人：山口日本電気株式会社
特開平4-044320

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