特許

J-GLOBAL ID：200903076557032063

基板加工方法

発明者： 渋江 明
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭 ,  池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346184
公開番号（公開出願番号）：特開2007-144503
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】 基板上の膜の損傷を抑えつつテーパの緩い貫通孔を基板に形成する。【解決手段】 本発明の方法は、その表面上に電子デバイスが実装される基板10を加工する。まず、電子デバイスの一部を成す膜12を基板の表面10aに形成する。次いで、基板の裏面10bにレーザビーム20を照射し、その裏面から基板を貫通して表面上の膜まで延びる貫通孔30を形成する。貫通孔を形成する際は、レーザビームを、基板の内部に配置された収束点Aに収束させながら照射する。この収束点は、少なくともレーザビームの光軸21の方向において固定される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面および裏面を有し、前記表面上に電子デバイスが実装される基板を加工する方法であって、 前記電子デバイスの一部を成す膜を前記表面に形成する工程と、 前記基板の裏面にレーザビームを照射し、前記裏面から前記基板を貫通して前記膜まで延びる貫通孔を形成する工程と、 を備え、 前記貫通孔を形成する工程は、前記レーザビームを、前記基板の内部に配置された収束点に収束させながら照射し、 前記収束点は、少なくとも前記レーザビームの光軸方向において固定される、基板加工方法。

IPC (3件)：

B23K 26/06 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/38

FI (3件)：

B23K26/06 A ,  B23K26/00 H ,  B23K26/38 330

Fターム (3件)：

4E068AF01 ,  4E068CD01 ,  4E068DA09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-185492   出願人：日清紡績株式会社
• レーザーピアシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-040851   出願人：小池酸素工業株式会社