特許
J-GLOBAL ID：200903076576891638

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150906
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 結晶性半導体膜を活性層に用いたボトムゲート型のTFTにおいて、ゲート配線による凹凸を平坦化する。【解決手段】 基板10上に、下地膜11、ゲート配線12、ゲート絶縁膜13が順次積層されている。ゲート絶縁膜13は、BCB、ポリイミド、アクリル等の絶縁性有機樹脂膜でなる平坦化膜13aと、絶縁性無機膜13bとの積層膜でなる。平坦化膜13aによりゲート絶縁膜13の表面が平坦化されるため、その表面に平坦な非晶質半導体膜15を形成することができる。よって、レーザ結晶化において、部分ごとに半導体膜15の焦点距離が異なることがないため、均一に結晶化することができる。また、ゲート配線12端部を厚い平坦化膜13aで被覆することができるので、ゲート絶縁膜13に電子やホールが注入されたり、ゲート絶縁膜13が静電破壊するのを防止できる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成され、絶縁性有機樹脂でなる平坦化膜と絶縁性無機膜とでなる積層膜を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆う半導体層と、を有する半導体装置であって、前記半導体層は結晶性半導体膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 29/78 619 A ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 627 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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