特許
J-GLOBAL ID：200903080201902389
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229197
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】歩留りの低下や表示不良の発生を防止することが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。【解決手段】TFT106のゲート電極11および補助容量SCの補助容量電極12の断面形状は矩形状を成している。ゲート電極11および補助容量電極12の両側壁部には、SOG膜から成るサイドウォールスペーサ13が設けられている。従って、ゲート電極11の断面形状を、中央部が平坦で両端部が傾斜したテーパ形状とする必要がないことから、テーパ形状に起因する素子特性のバラツキを回避することができる。また、サイドウォールスペーサ13が設けられているため、ゲート電極11の両端のカド部分上に位置するゲート絶縁膜80の段差被覆性が良好になり、その部分のゲート絶縁膜80の膜厚が薄くなるのを防止することが可能になるため、ゲート電極11と多結晶シリコン膜81との間の絶縁耐圧を十分に確保することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側壁部に形成されたサイドウォールスペーサと、絶縁基板とゲート電極およびサイドウォールスペーサの上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された能動層としての多結晶シリコン膜とを備えたボトムゲート構造をとる薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 21/20
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 K
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
