特許

J-GLOBAL ID：200903076638056668

ITOスパッタリングターゲット

発明者： 内海 健太郎 ,  黒澤 聡 ,  椿原 康史
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261740
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081551
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 低い印加電力でスパッタリングを行う成膜方法であっても、ノジュールの発生量が少ないスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体を、バッキングプレートにインジウム半田等の金属接合剤により接合してなるITOスパッタリングターゲットにおいて、金属接合剤が露出した部分の一部あるいは全部をインジウムおよびスズからなる合金で被覆する。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体を、バッキングプレートに金属接合剤により接合してなるITOスパッタリングターゲットにおいて、金属接合剤が露出した部分の一部あるいは全部をインジウムおよびスズからなる合金で覆ったことを特徴とするITOスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  G02F 1/1343

FI (3件)：

C23C 14/34 B ,  G02F 1/1343 ,  C04B 35/00 R

Fターム (16件)：

2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA16 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-089760   出願人：出光マテリアル株式会社
• スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275635   出願人：ソニー株式会社