特許
J-GLOBAL ID：200903076643545642

接合方法及び光集積回路の製造方法

発明者：
水本 哲弥

水本 哲弥 について

, 
横井 秀樹

横井 秀樹 について


出願人/特許権者：
東京工業大学長

東京工業大学長 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338348
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】化合物半導体結晶と磁気光学結晶とを直接接合法により十分に高い強度で接合することを可能とする接合方法、及びそのような接合方法を用いた光集積回路の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の接合方法は、化合物半導体結晶と磁気光学結晶とを接合する接合方法であって、前記化合物半導体結晶の第1の表面を活性化させる工程、前記活性化された第1の表面を水酸基で修飾する工程、前記磁気光学結晶の第2の表面を水酸基で修飾する工程、及び前記水酸基で修飾された第1の表面と前記水酸基で修飾された第2の表面とを接触させた状態で加熱する工程を具備する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体結晶と磁気光学結晶とを接合する接合方法であって、前記化合物半導体結晶の第1の表面を活性化させる工程、前記活性化された第1の表面を水酸基で修飾する工程、前記磁気光学結晶の第2の表面を水酸基で修飾する工程、及び前記水酸基で修飾された第1の表面と前記水酸基で修飾された第2の表面とを接触させた状態で加熱する工程を具備することを特徴とする接合方法。
IPC (3件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
G02B 6/12 M ,  H01L 21/28 301 H ,  G02B 6/12 L
Fターム (9件)：
2H047KB03 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA01 ,  2H047QA02 ,  2H047TA32 ,  4M104AA03 ,  4M104BB36 ,  4M104DD99
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM