特許
J-GLOBAL ID：200903076650149795
半導体発光装置、LEDヘッド、画像形成装置、及び半導体発光装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
前田 実
, 山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-283466
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051138
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 半導体発光装置の発光特性ばらつきを小さくする。【解決手段】 LEDエピフィルム20と、このLEDエピフィルム20の第1の面20a上に配置された光学的反射面30aと、LEDエピフィルム20の第2の面20b上に配置された光学的反射面11aとを有し、LEDエピフィルム20内で発生した光を第1の面20aを通して出射する半導体発光装置であって、λ0をLEDエピフィルム20で発生する光の発光中心波長とし、nをLEDエピフィルム20の屈折率とし、hをLEDエピフィルム20の厚さとし、mを0又は正の整数とし、ξをLEDエピフィルム20で発生する光の干渉が無いときの発光スペクトルの半値幅としたときに、次式を満足する。0.9×(2m+1)λ0/4n≦h≦1.1×(2m+1)λ0/4n{(2m+1)/m(m+1)}λ0/2>ξ【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
互いに反対を向く第1の面と第2の面とを有する半導体発光薄膜と、
前記半導体発光薄膜の前記第1の面上に配置された第1の光学的反射面と、
前記半導体発光薄膜の前記第2の面上に配置された第2の光学的反射面と
を有し、前記半導体発光薄膜内で発生した光を前記第1の面を通して出射する半導体発光装置であって、
λ0を前記半導体発光薄膜で発生する光の発光中心波長とし、nを前記半導体発光薄膜の屈折率とし、hを前記半導体発光薄膜の厚さとし、mを0又は正の整数とし、ξを前記半導体発光薄膜で発生する光の干渉が無いときの発光スペクトルの半値幅としたときに、厚さhが条件式(1)
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA09
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CB22
, 5F041DB07
, 5F041EE11
, 5F041EE16
, 5F041FF13
, 5F041FF16
