特許
J-GLOBAL ID:200903076692195843
陽極接合方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-174171
公開番号(公開出願番号):特開2005-350311
出願日: 2004年06月11日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】 高い接合強度を得ることができるガラス基板とシリコン基板との陽極接合方法を提供する。【解決手段】 マイナスイオンを予めドープしてドープ層12を形成したガラス基板11を用い、ガラス基板11のドープ層12が形成された面とシリコン基板13とを当接させ、ガラス基板11のドープ層12が形成された面と反対側の面を電圧印加装置16の負極側14に、シリコン基板13のガラス基板11と当接した面と反対側の面を電圧印加装置16の正極15側に接続し、両電極間に電圧を印加することによって基板同士を接合する陽極接合を行うと、低温環境下でも陽極接合が可能となり、高い強度の接合を得ることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ガラス基板とシリコン基板とを接触させて電圧を印加することによって接合する陽極接合方法において、
ガラス基板にマイナスイオンを予めドープする工程と、
ガラス基板を電圧印加装置の負極側に接続し、シリコン基板を電圧印加装置の正極側に接続し、ガラス基板とシリコン基板とを接触させる工程と、
正極と負極との間に電圧を印加してガラス基板とシリコン基板とを接合する工程とを含む陽極接合方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (6件):
4G061AA02
, 4G061BA05
, 4G061CA01
, 4G061CD02
, 4G061DA01
, 4G061DA21
引用特許:
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