特許

J-GLOBAL ID：200903076716453253

窒化ガリウム半導体基板及びその製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256806
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106949
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 青色発光ダイオード、レーザーや電子デバイスに用いられる窒化ガリウムヘテロ接合に関し、結晶性に優れ、電気的に良好な界面を有する窒化ガリウムヘテロ接合を提供する。【解決手段】 窒化ガリウムヘテロ成長基板として、4H型の炭化珪素単結晶を用いることにより、格子定数差が少なくでき、伝導帯下端のエネルギー差ΔEc 、すなわちバンドオフセットをほぼ0とできる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムヘテロ接合を有する半導体基板において、前記窒化ガリウムヘテロ接合を形成させるヘテロエピタキシー基板が4H型の炭化珪素単結晶であることを特徴とする窒化ガリウム半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253784   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198336   出願人：三洋電機株式会社