高周波発振回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283082
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112612
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【解決手段】 FET2のゲート端子2aには、マイクロストリップ線路3と誘電体共振器6等からなる帯域反射型の共振回路を接続する。FET2のドレイン端子2cは、バイアス端子9から直流バイアス電圧を印加すると共に高周波的にほぼ接地状態とする。さらに、ソース端子2bには、抵抗27により自己バイアスを加えると共に、インダクタンス素子21、キャパシタンス素子22及び抵抗素子23からなる出力整合回路24を介して発振出力を出力するようにする。発振条件の調整は、出力整合回路24の各素子定数を調整することにより行なう。【効果】共振回路を除いて半導体チップ上に集積一体化することができ、マイクロ波発振回路を小型化することができる。また、インダクタンス素子やキャパシタンス素子の素子定数を調整することにより発振条件を簡単に調整できる。

請求項（抜粋）：

3端子半導体素子を使用した発振回路であって、前記3端子半導体素子の制御用端子に帯域反射型の共振回路を接続し、前記3端子半導体素子の出力用端子にインダクタンス素子及びキャパシタンス素子からなる出力整合回路を接続し、前記3端子半導体素子の接地用端子を少なくとも高周波的にほぼ接地状態としたことを特徴とする高周波発振回路。

引用特許：

審査官引用 (9件)

マイクロ波発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231844 出願人：シャープ株式会社
発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-217284 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-043412

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