特許
J-GLOBAL ID：200903076775574455

プラズマ処理による酸化物又は他の還元可能な汚染物質の基板からの除去

発明者：
ラティ, サッダ

ラティ, サッダ について

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シュー, ピン

シュー, ピン について

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ファアン, ジュディ

ファアン, ジュディ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-582618
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530845
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：
【要約】本発明は、窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、in situプラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。
請求項（抜粋）：
基板上の酸化物を除去する方法であって: a)窒素と水素を含む還元剤をチャンバへと導入するステップと; b)プラズマを上記チャンバで引き起こすステップと; c)酸化物を上記還元剤に晒すステップと、を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 K
Fターム (45件)：
5F004AA14 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB13 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX08 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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