特許
J-GLOBAL ID:200903076775914892

電流検出セル付トレンチゲート半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-076982
公開番号(公開出願番号):特開平10-326897
出願日: 1998年03月25日
公開日(公表日): 1998年12月08日
要約:
【要約】【課題】電流検出セル付トレンチゲート半導体装置の電流検出精度を向上する。【解決手段】主セルのトレンチゲートのチャネルが形成されるトレンチ側壁の面方位と、電流検出セルのトレンチゲートのチャネルが形成されるトレンチ側壁の面方位とを同一にする。【効果】主セルと電流検出セルの特性が同じとなり、高精度な電流検出を実現できる。
請求項(抜粋):
トレンチゲートを有し、主電流を通電させる主セルと、トレンチゲートを有し、検出電流を通電させる電流検出用セルとが同一半導体基体上に形成された半導体装置において、上記主セルのトレンチゲートのチャネルが形成されるトレンチ側壁の面方位と、上記電流検出セルのトレンチゲートのチャネルが形成されるトレンチ側壁の面方位とが、同一または略同一であることを特徴とする電流検出セル付トレンチゲート半導体装置。
FI (4件):
H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 F
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (12件)
  • 絶縁ゲート型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-188538   出願人:株式会社東芝
  • 特開平4-355968
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-181467   出願人:株式会社東芝
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