特許
J-GLOBAL ID：200903076788652870

受光素子の感度制御方法、強度変調光を用いた空間情報の検出装置

発明者：
橋本 裕介

橋本 裕介 について

, 
高田 裕司

高田 裕司 について

, 
栗原 史和

栗原 史和 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103245
公開番号（公開出願番号）：特開2004-309310
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】感光部とは別領域にスイッチ領域および記憶領域を設ける従来構成に比較して簡単な構造とし、従来構成よりも受光素子の開口率を大きくする。【解決手段】不純物を添加した半導体層11の主表面に絶縁膜12を介して複数個の制御電極13が配置される。半導体層11に光が入射すると半導体層11に電荷が生成され、制御電極13に制御電圧を印加しておけば、制御電極13に対応して形成されるポテンシャル井戸14に電荷が集積される。制御電圧を印加する制御電極13の個数を変化させると、ポテンシャル井戸14が受光面に占める面積が変化する。ポテンシャル井戸14に集積された電荷は信号電荷として外部に取り出されるから、制御電圧を印加する制御電極13の個数を変化させることにより、受光素子1の感度を実質的に変化させたことになる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
受光強度に対応する量の電荷を発生する感光部と、感光部に設けた制御電極への制御電圧の印加により感光部に形成され感光部で発生した電荷の少なくとも一部を集積する電荷集積部と、電荷集積部に集積した電荷を受光出力として外部に取り出す電荷取出部とを備える受光素子において受光感度を制御する方法であって、感光部の受光面に沿った面内での電荷集積部の面積が変化するように制御電極への制御電圧を変化させることを特徴とする受光素子の感度制御方法。
IPC (5件)：
G01B11/00 ,  G01C3/06 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335
FI (5件)：
G01B11/00 B ,  G01C3/06 Z ,  H04N5/335 Q ,  H01L31/10 H ,  H01L27/14 Z
Fターム (56件)：
2F065AA02 ,  2F065AA06 ,  2F065DD04 ,  2F065DD09 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065FF09 ,  2F065FF13 ,  2F065FF32 ,  2F065FF41 ,  2F065FF64 ,  2F065GG06 ,  2F065GG07 ,  2F065GG15 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ26 ,  2F065NN08 ,  2F065NN11 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ25 ,  2F065UU02 ,  2F112AD01 ,  2F112BA07 ,  2F112BA09 ,  2F112CA12 ,  2F112DA25 ,  2F112DA26 ,  2F112DA28 ,  2F112DA32 ,  2F112EA03 ,  2F112FA01 ,  4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB03 ,  4M118BA12 ,  4M118CA08 ,  4M118DB09 ,  4M118DB10 ,  4M118DB16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FC03 ,  4M118FC04 ,  4M118GA03 ,  4M118GA05 ,  5C024EX56 ,  5C024GX06 ,  5C024GY01 ,  5F049MA15 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SE11 ,  5F049SE20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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